K4B4G0846D-BYMA - 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
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4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
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Spécifications pour K4B4G0846D-BYMA
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
K4B4G0846D-BYMA
Fabricant :
Samsung Semiconductor
La description :
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
Séries :
DDR3
Densité :
4 Gb
Org. :
512M x 8
La vitesse :
1866 Mbps
Tension :
1.35 V
Temp. :
0 ~ 85 °C
Paquet :
78FBGA
État du produit :
Mass Production
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour K4B4G0846D-BYMA
Feuilles de données :
K4B4G0846D-BYMA.pdf
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Vitramon |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 2500PF 25KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7600PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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