PMV130ENEA/DG/B2R - MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
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MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PMV130ENEA/DG/B2R
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMV130ENEA/DG/B2R
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-236AB
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PMV130ENEA/DG/B2R
Feuilles de données : PMV130ENEA/DG/B2R.pdf
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