W9412G6KH-5 - IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-W9412G6KH-5
Fabricant
Brève description
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
307635 Pieces
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Spécifications pour W9412G6KH-5
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
W9412G6KH-5
Fabricant :
Winbond Electronics
La description :
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - DDR
Taille mémoire :
128Mb (8M x 16)
Fréquence d'horloge :
200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
15ns
Temps d'accès :
50ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
2.3V ~ 2.7V
Température de fonctionnement :
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
66-TSOP II
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour W9412G6KH-5
Feuilles de données :
W9412G6KH-5.pdf
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 100PF 16KV DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 1000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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