SIHF12N60E-GE3 - MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
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MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIHF12N60E-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIHF12N60E-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
Séries : E
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 937pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 33W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220 Full Pack
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SIHF12N60E-GE3
Feuilles de données : SIHF12N60E-GE3.pdf
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