SI6562DQ-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

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MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI6562DQ-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI6562DQ-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-TSSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SI656 , SI6562D

Documents pour SI6562DQ-T1-GE3

Feuilles de données : SI6562DQ-T1-GE3.pdf

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