TPC6113(TE85L,F,M) - MOSFET P-CH 20V 5A VS6

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MOSFET P-CH 20V 5A VS6
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TPC6113(TE85L,F,M)

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TPC6113(TE85L,F,M)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET P-CH 20V 5A VS6
Séries : U-MOSVI
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 690pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : VS-6 (2.9x2.8)
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TPC611 , TPC6113(T

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Feuilles de données : TPC6113(TE85L,F,M).pdf

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