RS1DL R3G - DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-RS1DL R3G
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
6323285 Pieces
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Spécifications pour RS1DL R3G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RS1DL R3G
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 800mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 800mA
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 150ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 200V
Capacité @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-219AB
Package d'appareils du fournisseur : Sub SMA
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RS1DL R3G
Feuilles de données : RS1DL R3G.pdf
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| EPCOS (TDK) | CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 20KV. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 3000PF 20KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 16KV SCREW. | ||
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