AS4C64M16D3LB-12BIN - IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
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Brève description
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C64M16D3LB-12BIN
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C64M16D3LB-12BIN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR3L
Taille mémoire : 1Gb (64M x 16)
Fréquence d'horloge : 800MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 20ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.283V ~ 1.45V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 96-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 96-FBGA (13x9)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C64M16D3LB-12BIN
Feuilles de données : AS4C64M16D3LB-12BIN.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 12KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 10KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 16KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
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