CSD13303W1015 - MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
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MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour CSD13303W1015
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CSD13303W1015
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 31A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 715pF @ 6V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.65W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-DSBGA
Paquet / caisse : 6-UFBGA, DSBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour CSD13303W1015
Feuilles de données : CSD13303W1015.pdf
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