IPD50N06S2L13ATMA2 - MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Référence fabricant

IPD50N06S2L13ATMA2

Numéro de pièce interne

AX-IPD50N06S2L13ATMA2

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPD50N06S2L13ATMA2

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD50N06S2L13ATMA2

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.7 mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 80µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 136W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3-11

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD50N , IPD50N06S

Documents pour IPD50N06S2L13ATMA2

Feuilles de données : IPD50N06S2L13ATMA2.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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