EPC2111ENGRT - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

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Fabricant
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GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour EPC2111ENGRT

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EPC2111ENGRT
Fabricant : EPC
La description : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : EPC2 , EPC211

Documents pour EPC2111ENGRT

Feuilles de données : EPC2111ENGRT.pdf

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Numéro d'article Marque La description Acheter

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