EPC2111ENGRT - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EPC2111ENGRT
Fabricant
Brève description
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
303635 Pieces
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Spécifications pour EPC2111ENGRT
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
EPC2111ENGRT
Fabricant :
EPC
La description :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Puissance - Max :
-
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
Die
Package d'appareils du fournisseur :
Die
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour EPC2111ENGRT
Feuilles de données :
EPC2111ENGRT.pdf
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