IRLD120 - MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Référence fabricant

IRLD120

Numéro de pièce interne

AX-IRLD120

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IRLD120

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRLD120

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 780mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 490pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.3W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paquet / caisse : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IR , IRL

Documents pour IRLD120

Feuilles de données : IRLD120.pdf

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