DF11MR12W1M1B11BOMA1 - MOSFET MODULE 1200V 50A
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Brève description
MOSFET MODULE 1200V 50A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
5560 Pieces
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Spécifications pour DF11MR12W1M1B11BOMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET MODULE 1200V 50A
Séries :
CoolSiC™
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 20mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
125nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
3950pF @ 800V
Puissance - Max :
20mW
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
Module
Package d'appareils du fournisseur :
Module
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Liens connexes :
DF11MR , DF11MR12W1
Documents pour DF11MR12W1M1B11BOMA1
Feuilles de données :
DF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
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