APTM100VDA35T3G - MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
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MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTM100VDA35T3G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTM100VDA35T3G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Séries : POWER MOS 7®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V (1kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V
Puissance - Max : 390W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SP3
Package d'appareils du fournisseur : SP3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour APTM100VDA35T3G
Feuilles de données : APTM100VDA35T3G.pdf
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