IRFBC20STRLPBF - MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
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MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRFBC20STRLPBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRFBC20STRLPBF
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRFBC20STRLPBF
Feuilles de données : IRFBC20STRLPBF.pdf
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