HGTD1N120BNS9A - IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour HGTD1N120BNS9A
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
HGTD1N120BNS9A
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type IGBT :
NPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) :
1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
5.3A
Courant - collecteur pulsé (Icm) :
6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.9V @ 15V, 1A
Puissance - Max :
60W
Énergie de commutation :
70µJ (on), 90µJ (off)
Type d'entrée :
Standard
Charge de la porte :
14nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C :
15ns/67ns
Condition de test :
960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) :
-
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur :
TO-252AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour HGTD1N120BNS9A
Feuilles de données :
HGTD1N120BNS9A.pdf
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