HUFA76413DK8T - MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
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Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour HUFA76413DK8T
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
HUFA76413DK8T
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Séries :
UltraFET™
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
49 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 25V
Puissance - Max :
2.5W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-SOIC
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour HUFA76413DK8T
Feuilles de données :
HUFA76413DK8T.pdf
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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