SI2303BDS-T1 - MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SI2303BDS-T1
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI2303BDS-T1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI2303BDS-T1
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.49A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI2303BDS-T1
Feuilles de données : SI2303BDS-T1.pdf
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