BLP10H605Z - RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

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RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
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Spécifications pour BLP10H605Z

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BLP10H605Z
Fabricant : Ampleon USA Inc.
La description : RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : LDMOS (Dual), Common Source
La fréquence : 860MHz
Gain : 22.4dB
Tension - Test : 50V
Note actuelle : -
Figure de bruit : -
Courant - Test : 30mA
Puissance - sortie : 5W
Tension - nominale : 104V
Paquet / caisse : 12-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 12-HVSON (6x5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BLP , BLP10

Documents pour BLP10H605Z

Feuilles de données : BLP10H605Z.pdf

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