1N3070_T50R - DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35

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DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 1N3070_T50R

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1N3070_T50R
Fabricant : ON Semiconductor
La description : DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 500mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 100mA
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100nA @ 175V
Capacité @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : DO-204AH, DO-35, Axial
Package d'appareils du fournisseur : DO-35
Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 1N3 , 1N307

Documents pour 1N3070_T50R

Feuilles de données : 1N3070_T50R.pdf

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