RN1316,LF - TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Référence fabricant

RN1316,LF

Numéro de pièce interne

AX-RN1316,LF

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

12472845 Pieces

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Spécifications pour RN1316,LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RN1316,LF

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : NPN - Pre-Biased

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V

Résistance - Base (R1) : 4.7 kOhms

Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 10 kOhms

Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 50 @ 10mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA

Fréquence - Transition : 250MHz

Puissance - Max : 100mW

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SC-70, SOT-323

Package d'appareils du fournisseur : USM

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RN1 , RN13

Documents pour RN1316,LF

Feuilles de données : RN1316,LF.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
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TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV R85.
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