IRFS4010-7PPBF - MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
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MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRFS4010-7PPBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRFS4010-7PPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 190A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9830pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 380W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK
Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRFS4010-7PPBF
Feuilles de données : IRFS4010-7PPBF.pdf
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