NTLJS3A18PZTXG - MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
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Brève description
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NTLJS3A18PZTXG
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NTLJS3A18PZTXG
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2240pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
700mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
6-WDFN (2x2)
Paquet / caisse :
6-WDFN Exposed Pad
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NTLJS3A18PZTXG
Feuilles de données :
NTLJS3A18PZTXG.pdf
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