DMNH6011LK3Q-13 - MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR

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MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR
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Spécifications pour DMNH6011LK3Q-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMNH6011LK3Q-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 49.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3077pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMNH6 , DMNH601

Documents pour DMNH6011LK3Q-13

Feuilles de données : DMNH6011LK3Q-13.pdf

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