IPB050N06NGATMA1 - MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Référence fabricant

IPB050N06NGATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPB050N06NGATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IPB050N06NGATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPB050N06NGATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 167nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6100pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPB05 , IPB050N0

Documents pour IPB050N06NGATMA1

Feuilles de données : IPB050N06NGATMA1.pdf

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