IPB60R060C7ATMA1 - MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Référence fabricant

IPB60R060C7ATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPB60R060C7ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPB60R060C7ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPB60R060C7ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Séries : CoolMOS™ C7

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 15.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 800µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2850pF @ 400V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 162W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3

Paquet / caisse : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPB60 , IPB60R06

Documents pour IPB60R060C7ATMA1

Feuilles de données : IPB60R060C7ATMA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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