SI8487DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 30V MICROFOOT
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MOSFET P-CH 30V MICROFOOT
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI8487DB-T1-E1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI8487DB-T1-E1
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 30V MICROFOOT
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2240pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 4-Microfoot
Paquet / caisse : 4-UFBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI8487DB-T1-E1
Feuilles de données : SI8487DB-T1-E1.pdf
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