SIHD1K4N60E-GE3 - MOSFET N-CH DPAK TO-252

Référence fabricant

SIHD1K4N60E-GE3

Numéro de pièce interne

AX-SIHD1K4N60E-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH DPAK TO-252

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

354245 Pieces

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Spécifications pour SIHD1K4N60E-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIHD1K4N60E-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH DPAK TO-252

Séries : E

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.45 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 172pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 63W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252AA

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIHD1 , SIHD1K4

Documents pour SIHD1K4N60E-GE3

Feuilles de données : SIHD1K4N60E-GE3.pdf

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BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
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