IPT012N08N5ATMA1 - MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

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MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPT012N08N5ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPT012N08N5ATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 280µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 223nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 17000pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 375W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-HSOF-8-1
Paquet / caisse : 8-PowerSFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPT01 , IPT012N0

Documents pour IPT012N08N5ATMA1

Feuilles de données : IPT012N08N5ATMA1.pdf

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