EDB8164B4PR-1D-F-D - IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

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IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour EDB8164B4PR-1D-F-D

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EDB8164B4PR-1D-F-D
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire : 8Gb (128M x 64)
Fréquence d'horloge : 533MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -30°C ~ 85°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 216-WFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 216-FBGA (12x12)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : EDB816 , EDB8164B4

Documents pour EDB8164B4PR-1D-F-D

Feuilles de données : EDB8164B4PR-1D-F-D.pdf

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