IRFD224 - MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

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MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
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Spécifications pour IRFD224

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRFD224
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 630mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 380mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquet / caisse : 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : IRFD224.pdf

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