IRFD224 - MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRFD224
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
451500 Pieces
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Spécifications pour IRFD224
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRFD224
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
630mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 380mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
260pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquet / caisse :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRFD224
Feuilles de données :
IRFD224.pdf
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CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. |
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