FDB5645 - MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Référence fabricant

FDB5645

Numéro de pièce interne

AX-FDB5645

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour FDB5645

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDB5645

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 107nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4468pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -65°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDB

Documents pour FDB5645

Feuilles de données : FDB5645.pdf

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