NVMFS5C682NLWFAFT1G - MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN

Référence fabricant

NVMFS5C682NLWFAFT1G

Numéro de pièce interne

AX-NVMFS5C682NLWFAFT1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NVMFS5C682NLWFAFT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NVMFS5C682NLWFAFT1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.8A (Ta), 25A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 16µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.5W (Ta), 28W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NVMFS5 , NVMFS5C68

Documents pour NVMFS5C682NLWFAFT1G

Feuilles de données : NVMFS5C682NLWFAFT1G.pdf

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