SI3585CDV-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
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MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI3585CDV-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI3585CDV-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 10V
Puissance - Max : 1.4W, 1.3W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI3585CDV-T1-GE3
Feuilles de données : SI3585CDV-T1-GE3.pdf
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