IXTQ26P20P - MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P

Référence fabricant

IXTQ26P20P

Numéro de pièce interne

AX-IXTQ26P20P

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXTQ26P20P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTQ26P20P

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P

Séries : PolarP™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 26A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2740pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-3P

Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXT , IXTQ2

Documents pour IXTQ26P20P

Feuilles de données : IXTQ26P20P.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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