MBR20030CT - DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-MBR20030CT
Fabricant
Brève description
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
10536 Pieces
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Spécifications pour MBR20030CT
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MBR20030CT
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
La description :
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Configuration de la diode :
1 Pair Common Cathode
Type de diode :
Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
30V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) :
200A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
650mV @ 100A
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
-
Courant - Fuite inverse @ Vr :
5mA @ 20V
Température de fonctionnement - Jonction :
-55°C ~ 150°C
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
Twin Tower
Package d'appareils du fournisseur :
Twin Tower
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour MBR20030CT
Feuilles de données :
MBR20030CT.pdf
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