DMG3415UFY4Q-7 - MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

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MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
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Spécifications pour DMG3415UFY4Q-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMG3415UFY4Q-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 16V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 282pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 650mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : X2-DFN2015-3
Paquet / caisse : 3-XDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMG3 , DMG3415

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Feuilles de données : DMG3415UFY4Q-7.pdf

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