IPW65R045C7300XKSA1 - MOSFET N-CH 650V TO-247-3

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MOSFET N-CH 650V TO-247-3
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Spécifications pour IPW65R045C7300XKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPW65R045C7300XKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 650V TO-247-3
Séries : CoolMOS™ C7
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 46A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1.25mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4.34nF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 227W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO247
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPW65R , IPW65R045

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Feuilles de données : IPW65R045C7300XKSA1.pdf

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