NAND512R3A2AZA6E - IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA
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IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NAND512R3A2AZA6E
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NAND512R3A2AZA6E
Fabricant : STMicroelectronics
La description : IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de mémoire : Non-Volatile
Format de mémoire : FLASH
La technologie : FLASH - NAND
Taille mémoire : 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge : -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 60ns
Temps d'accès : 60ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 55-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 55-VFBGA (8x10)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NAND512R3A2AZA6E
Feuilles de données : NAND512R3A2AZA6E.pdf
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