MT47R256M4CF-25E:H - IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MT47R256M4CF-25E:H
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MT47R256M4CF-25E:H
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR2
Taille mémoire : 1Gb (256M x 4)
Fréquence d'horloge : 400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 400ps
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.55V ~ 1.9V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 60-FBGA (8x10)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MT47R256M4CF-25E:H
Feuilles de données : MT47R256M4CF-25E:H.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 14KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Vitramon | CAP CER 3300PF 100V BX 0805. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 16KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 16KV SCREW. | ||
| Vishay Vitramon | CAP CER 10PF 100V BP 0805. |