TK40E06N1,S1X - MOSFET N CH 60V 40A TO-220

Référence fabricant
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Brève description
MOSFET N CH 60V 40A TO-220
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK40E06N1,S1X

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK40E06N1,S1X
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N CH 60V 40A TO-220
Séries : U-MOSVIII-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 40A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 67W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK40 , TK40E0

Documents pour TK40E06N1,S1X

Feuilles de données : TK40E06N1,S1X.pdf

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