BSC12DN20NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

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MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
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Spécifications pour BSC12DN20NS3GATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSC12DN20NS3GATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TDSON-8
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSC12D , BSC12DN20

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Feuilles de données : BSC12DN20NS3GATMA1.pdf

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