SPP08P06PHXKSA1 - MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
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MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SPP08P06PHXKSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SPP08P06PHXKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 42W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SPP08P06PHXKSA1
Feuilles de données : SPP08P06PHXKSA1.pdf
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