2SK2315TYTR-E - MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
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MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 2SK2315TYTR-E
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 2SK2315TYTR-E
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 173pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : UPAK
Paquet / caisse : TO-243AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour 2SK2315TYTR-E
Feuilles de données : 2SK2315TYTR-E.pdf
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