IPD60R360P7ATMA1 - MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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590670 Pieces
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Spécifications pour IPD60R360P7ATMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IPD60R360P7ATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
Séries :
CoolMOS™ P7
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 140µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
555pF @ 400V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
41W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TO252-3
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IPD60R360P7ATMA1
Feuilles de données :
IPD60R360P7ATMA1.pdf
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CAP CER 10PF 100V BP 0805. |
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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