BSC018NE2LSIATMA1 - MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Référence fabricant

BSC018NE2LSIATMA1

Numéro de pièce interne

AX-BSC018NE2LSIATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BSC018NE2LSIATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSC018NE2LSIATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 29A (Ta), 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 12V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TDSON-8

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSC01 , BSC018NE

Documents pour BSC018NE2LSIATMA1

Feuilles de données : BSC018NE2LSIATMA1.pdf

Produits associés pour BSC018NE2LSIATMA1 Infineon Technologies

Numéro d'article	Marque	La description
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WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.