IRF7807VD1TRPBF - MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
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MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRF7807VD1TRPBF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRF7807VD1TRPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Séries :
FETKY™
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
8.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) :
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-SO
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRF7807VD1TRPBF
Feuilles de données :
IRF7807VD1TRPBF.pdf
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