MT29E3T08EUHBBM4-3:B - IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
9328 Pieces
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Spécifications pour MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Fabricant :
Micron Technology Inc.
La description :
IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Non-Volatile
Format de mémoire :
FLASH
La technologie :
FLASH - NAND
Taille mémoire :
3Tb (384G x 8)
Fréquence d'horloge :
333MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
-
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
2.5V ~ 3.6V
Température de fonctionnement :
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage :
-
Paquet / caisse :
-
Package d'appareils du fournisseur :
-
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Liens connexes :
MT29E3 , MT29E3T08E
Documents pour MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Feuilles de données :
MT29E3T08EUHBBM4-3:B.pdf
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EPCOS (TDK) |
CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. |
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Murata Electronics North America |
CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005. |
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AVX Corporation |
CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R |
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Vishay Beyschlag |
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