MT29E3T08EUHBBM4-3:B - IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
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IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Non-Volatile
Format de mémoire : FLASH
La technologie : FLASH - NAND
Taille mémoire : 3Tb (384G x 8)
Fréquence d'horloge : 333MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.5V ~ 3.6V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : -
Paquet / caisse : -
Package d'appareils du fournisseur : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MT29E3 , MT29E3T08E
Documents pour MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Feuilles de données : MT29E3T08EUHBBM4-3:B.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 25KV R85. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 16KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 14KV SCREW. | ||
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