GP2M011A090NG - MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
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MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour GP2M011A090NG
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GP2M011A090NG
Fabricant : Global Power Technologies Group
La description : MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3240pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 416W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-3PN
Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour GP2M011A090NG
Feuilles de données : GP2M011A090NG.pdf
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