GP2M011A090NG - MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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21248 Pieces
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Spécifications pour GP2M011A090NG
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
GP2M011A090NG
Fabricant :
Global Power Technologies Group
La description :
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
84nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
3240pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
416W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-3PN
Paquet / caisse :
TO-3P-3, SC-65-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour GP2M011A090NG
Feuilles de données :
GP2M011A090NG.pdf
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