LND150N3-G-P002 - MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

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MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
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Spécifications pour LND150N3-G-P002

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : LND150N3-G-P002
Fabricant : Microchip Technology
La description : MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10pF @ 25V
Caractéristique FET : Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) : 740mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-92-3
Paquet / caisse : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : LND15 , LND150N

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Feuilles de données : LND150N3-G-P002.pdf

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